作为行业中最大的铁电随机存储器(Ferroelectric Random Access Memory)供应商，富士通公司早在1998年就将铁电随机存储器结合到微处理器中，并在1999年推出批量产品，均为行业之最。新一代的非易失性铁电随机存储器在性能上超过现有的存储器，比如电可擦除只读存储器（EEPROM）、电池后备供电静态读写存储器（BBSRAM）。铁电随机存储器耗电更少，对于多次读写运算具有更高的耐受性。这一突破性存储介质正在各种应用中使用，包括智能卡、无线射频识别（RFID）和安全应用。

铁电随机存储器属于非易失性存储器，但在其它各方面则类似于随机存储器。因此，和其它类型的非易失性存储器相比（如电可擦除只读存储器和闪存），它的特点是写入速度更快，擦写次数更多，同时耗电少。

富士通是最早创立嵌入式铁电随机存储器制程的半导体制造商。富士通的铁电随机存储器器件在岩手县（Iwate）工厂生产，并获得ISO9002 和ISO14001认证。

什么是铁电随机存储器的材料？
钙钛矿类型结构(ABO3)的PZT (Pb {ZrTi}O3)是铁电随机存储器中使用的最常见的材料。在应用和排除外电场后，PZT的电极化（ Zr/Ti 原子的上/下移动）仍然存在，从而带来了非易失性的特质。因此，数据存储所消耗的电量非常小。

• 比电可擦除只读存储器（EEPROM）读写速度快30,000倍
• 比电可擦除只读存储器（EEPROM）擦写次数高出100,000倍
• 比电可擦除只读存储器（EEPROM）的耗电少200倍
• 出众的防干扰性能

深圳市华胄科技有限公司铁电存储器产品选型表

1、并口铁电存储器系列

产品名称 容量 存储结构 类型 访问时间 时钟速度 工作电压 工作温度
MB85R256 256k 32k x 8 parallel 150ns - 3.0-3.6v -40 to 85°c
MB85R256H 256k 32k x 8 parallel 70ns - 2.7-3.6v -40 to 85°c
MB85R1001 1m 128k x 8 parallel 100ns - 3.0-3.6v -40 to 85°c
MB85R1002 1m 64k x 16 parallel 100ns - 3.0-3.6v -40 to 85°c
MB85R2001 2m 256k x 8 parallel 100ns - 3.0-3.6v -40 to 85°c
MB85R2002 2m 128k x 16 parallel 100ns - 3.0-3.6v -40 to 85°c 

2、SPI铁电存储器

产品名称 容量 存储结构 类型 访问时间 时钟速度 工作电压 工作温度 
MB85RS256 256k 32k x 8 spi - 15mhz 3.0-3.6v -20 to 85°c 
MB85RS64  64k    8k x 8  spi -  15mhz 3.0-3.6v -20 to 85°c 
MB85RS128 128k 16k x 8 spi - 15mhz 3.0-3.6v -20 to 85°c

3、IIC铁电存储器

产品名称 容量 存储结构 类型 最大工作电流 最大读写频率 封装
MB85RC64   64K      8k x 8 iic 400uA 400kHz SOP8
MB85RC128 128K 16k x 8 iic 400uA 400kHz SOP8

4、带铁电的MCU
产品名称 frequency band fram i/f modulation method
MB89R118B 13.56mhz 2kb iso 15693 ask 10%, ask 100%
MB89R119 13.56mhz 256b iso 15693 ask 10%, ask 100% 

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